Download Halbleiter-Schaltungstechnik by Ulrich Tietze, Christoph Schenk, Eberhard Gamm PDF

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  • April 20, 2017
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By Ulrich Tietze, Christoph Schenk, Eberhard Gamm

In der 12. Auflage des bewährten Lehrbuchs ist ein Quantensprung gelungen. Erstmalig enthält der Tietze/Schenk fünf neue Kapitel über Schaltungen der Nachrichtentechnik, in denen die Grundlagen der Modulationsverfahren, der Aufbau von Sendern und Empfängern und deren Komponenten praxisnah behandelt werden. Damit wurde die Bandbreite des Tietze/Schenk in den Gigahertzbereich erweitert.

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Bei einigen Dioden sind die Emissionskoeffizienten η und nR nahezu gleich. In diesem Fall hat die halblogarithmisch dargestellte Kennlinie im Rekombinationsund im Diffusionsbereich dieselbe Steigung und man kann beide Bereiche mit einer Exponentialfunktion beschreiben 4 . 10) = - IBR e nBR UT Dazu werden die Durchbruchspannung UBR « 5 0 . . 1000V, der DurchbruchKniestrom IBR und der Durchbruch-Emissionskoeffizient nBR « 1 benötigt. Mit ttßß = l und [7r ~ 26 mV gilt 5 : 1 DBR h IDBR — - IBR für l/D = - UBR - IOIOIBR für [7D = - UBR - 0,6 V Die Angabe von IBR und UBR ist nicht eindeutig, weil man dieselbe Kurve mit unterschiedlichen Wertepaaren (UBRyIBR) beschreiben kann; deshalb kann das Modell einer bestimmten Diode unterschiedliche Parameter haben.

4 Brückengleichrichter Die in Abb. 26 gezeigte Schaltung mit vier Dioden wird Brückengleichrichter genannt und zur Vollweg-Gleichrichtung in Netzteilen und Wechselspannungsmessern eingesetzt. 5 wird dies näher beschrieben. Von den vier Anschlüssen werden zwei mit ~ und je einer mit + und — gekennzeichnet. r\ ο • uo 11 t 'a -*—o ΛΛ r\ 0 Abb. 26. 4 Spezielle Dioden und ihre Anwendung 35 a Spannungskennlinie b Stromkennlinie Abb. 27. Kennlinien eines Brückengleichrichters Bei positiven Eingangsspannungen leiten D\ und D3, bei negativen D2 und D4; die jeweils anderen Dioden sperren.

9) Als weitere Parameter treten der Leck-Sättigungssperrstrom IS,R, der Emissionskoeffizient nR > 2, die Diffusionsspannung Uoiff ^ 0 , 5 . . 1V und der Kapazitätskoeffizient ms ^ 1/3... 1/2 auf 3 . 9) folgt: IDR « - h,R f \U \\ms ~— \ uDiff J für UD < - UDiff Der Strom nimmt mit steigender Sperrspannung betragsmäßig zu; dabei hängt der Verlauf vom Kapazitätskoeffizienten ms ab. 9) praktisch nicht aus, weil dort die exponentielle Abhängigkeit von UD dominiert. Wegen IS,R ^> Is ist der Rekombinationsstrom bei kleinen positiven Spannungen größer als der Diffusionsstrom; dieser Bereich wird Rekombinationsbereich genannt.

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